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2SK2311(2006) 查看數據表（PDF） - Toshiba
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比赛名单
2SK2311
(Rev.:2006)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−π−MOSV)
Toshiba
2SK2311 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
2SK2311
R
G
= 25
Ω
V
DD
= 25 V, L = 339
μ
H
EAS
=
1
2
⋅
L
⋅
I
2
⋅ ⎜⎛
⎝
BVDSS
BVDSS
−
VDD
⎟⎞
⎠
5
2006-11-17
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