2SJ583 查看數據表（PDF） - SANYO -> Panasonic

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

2SJ583

P-Channel Silicon MOSFET

SANYO -> Panasonic 

2SJ583LS

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Parameter

Symbol

Conditions

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-ON Delay Time

Rise Time

Turn-OFF Delay Time

Fall Time

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain "Miller" Charge

Diode Forward Voltage

Marking : J583

Ciss

Coss

Crss

td(on)

tr

td(off)

tf

Qg

Qgs

Qgd

VSD

Switching Time Test Circuit

VDD= --100V

VIN

0V

--10V

ID= --2A

RL=50Ω

VDS=–20V, f=1MHz

VDS=–20V, f=1MHz

VDS=–20V, f=1MHz

See specified Test Circuit

See specified Test Circuit

See specified Test Circuit

See specified Test Circuit

VDS=–100V, VGS=–10V, ID=–3.5A

VDS=–100V, VGS=–10V, ID=–3.5A

VDS=–100V, VGS=–10V, ID=–3.5A

IS=–3.5A, VGS=0

PW=10µs

D.C.≤1%

VIN

G

D

VOUT

P.G

50Ω

2SJ583LS

S

Ratings

Unit

min typ max

360

pF

95

pF

40

pF

10

ns

21

ns

45

ns

16.5

ns

18

nC

3

nC

9

nC

–0.9 –1.5 V

--5.0

--4.5

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0

0

2.0

1.8

ID -- VDS

--8V --7V

--6V

--5V

--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10

Drain-to-Source Voltage, VDS – V IT01485

RDS(on) -- VGS

Tc=25°C

ID= --2A

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

Gate-to-Source Voltage, VGS – V IT01487

--7

VDS= --10V

--6

--5

ID -- VGS

25°C

75°C

--4

--3

--2

--1

0

0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10

Gate-to-Source Voltage, VGS – V IT01486

RDS(on) -- Tc

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

--50 --25

0

25

50

75 100

Case Temperature, Tc – ˚C

125 150

IT01488

No.6409–2/4

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