2SJ591 查看數據表（PDF） - SANYO -> Panasonic

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

2SJ591

P-Channel Silicon MOSFET

SANYO -> Panasonic 

2SJ591LS

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Parameter

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-ON Delay Time

Rise Time

Turn-OFF Delay Time

Fall Time

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain “Miller” Charge

Diode Forward Voltage

Symbol

Ciss

Coss

Crss

td(on)

tr

td(off)

tf

Qg

Qgs

Qgd

VSD

Conditions

VDS=--20V, f=1MHz

VDS=--20V, f=1MHz

VDS=--20V, f=1MHz

See specified Test Circuit.

See specified Test Circuit.

See specified Test Circuit.

See specified Test Circuit.

VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--28A

VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--28A

VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--28A

IS=--28A, VGS=0

Switching Time Test Circuit

VDD= --30V

VIN

0V

--10V

PW=10µs

D.C.≤1%

VIN

G

ID= --14A

RL=2.14Ω

D

VOUT

P.G

50Ω

2SJ591LS

S

Ratings

Unit

min

typ

max

3100

pF

640

pF

200

pF

24

ns

140

ns

270

ns

140

ns

92

nC

12

nC

26

nC

--0.92

--1.2

V

ID -- VDS

--30

--4.0V

--25

--20

--3.5V

--15

--10

--3.0V

--5

VGS= --2.5V

0

0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT04159

RDS(on) -- VGS

80

Tc=25°C

70

ID= --14A

60

50

40

30

20

10

0

0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT04161

ID -- VGS

--35

VDS= --10V

--30

--25

--20

--15

--10

--5

0

0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT04160

RDS(on) -- Tc

80

70

60

50

40

30

I D=

I D=

--14A,

--14A,

V

V

GS=

GS=

--4V

--10V

20

10

0

--60 --40 --20 0

20 40 60 80 100 120 140

Case Temperature, Tc -- °C

IT04162

No.7150-2/4

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