BS616UV2019 查看數據表（PDF） - Brilliance Semiconductor
零件编号
产品描述 (功能)
比赛名单
BS616UV2019 Datasheet PDF : 11 Pages
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n AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = -40OC to +85OC)
READ CYCLE
BS616UV2019
JEDEC
PARAMETER
NAME
PARANETER
NAME
DESCRIPTION
CYCLE TIME : 85ns CYCLE TIME : 100ns
(VCC=1.9~3.6V)
(VCC=1.9~3.6V)
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
UNITS
tAVAX
tRC
Read Cycle Time
85
--
-- 100 --
--
ns
tAVQX
tAA
Address Access Time
--
--
85
--
-- 100
ns
tELQV1
tACS1
Chip Select Access Time
(CE) --
--
85
--
-- 100
ns
tELQV2
tACS2
Chip Select Access Time
(CE2) --
--
85
--
-- 100
ns
tBLQV
tBA
Data Byte Control Access Time
(LB, UB) --
--
85
--
-- 100
ns
tGLQV
tOE
Output Enable to Output Valid
--
--
40
--
--
50
ns
tELQX1
tCLZ1
Chip Select to Output Low Z
(CE) 15
--
--
15
--
--
ns
tELQX2
tBLQX
tCLZ2
Chip Select to Output Low Z
(CE2) 15
--
--
15
--
--
ns
tBE
Data Byte Control to Output Low Z (LB, UB) 15
--
--
15
--
--
ns
tGLQX
tEHQZ1
tOLZ
tCHZ1
Output Enable to Output Low Z
Chip Select to Output High Z
15
--
--
15
--
--
ns
(CE) --
--
35
--
--
40
ns
tEHQZ2
tBHQZ
tCHZ2
Chip Select to Output High Z
(CE2) --
--
35
--
--
40
ns
tBDO
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB) --
--
35
--
--
40
ns
tGHQZ
tOHZ
Output Enable to Output High Z
--
--
30
--
--
35
ns
tAVQX
tOH
Data Hold from Address Change
15
--
--
15
--
--
ns
n SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1 (1,2,4)
tRC
ADDRESS
tAA
tOH
tOH
DOUT
R0201-BS616UV2019
5
Revision 1.3
May.
2006
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