T508N16 查看數據表（PDF） - eupec GmbH
零件编号
产品描述 (功能)
比赛名单
T508N16 Datasheet PDF : 29 Pages
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 508 N 12 ...18
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
tq
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, ? =180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, ? =180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, ? =180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
F
G
DIN 40040
f = 50Hz
typ.
250 µs
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0530
0,0500
0,0880
0,0850
0,1230
0,1200
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
max. 0,0075
max. 0,0150
125
°C/W
°C/W
°C
-40...125 °C
-40...140 °C
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5 ...10 kN
typ.
100 g
17 mm
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-AM / 99-07-26, K.-A.Rüther
A
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