BP103-4 查看數據表（PDF） - Siemens AG
零件编号
产品描述 (功能)
比赛名单
BP103-4 Datasheet PDF : 6 Pages
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BP 103
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light a
VCB = 5 V
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 35 V, E = 0
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
L× B
L×W
H
ϕ
IPCB
IPCB
CCE
CCB
CEB
ICEO
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
420 ... 1130 nm
0.12
0.5 × 0.5
0.2 ... 0.8
mm2
mm × mm
mm
± 55
Grad
deg.
0.9
µA
2.7
µA
8
pF
11
pF
19
pF
5 (≤ 100)
nA
Semiconductor Group
213
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