2SH14
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max Unit Test conditions
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter breakdown V(BR)CES 600
—
voltage
—
V IC = 100 µA, VGE = 0
———————————————————————————————————————————
Zero gate voltage collector
current
ICES
—
—
0.5
mA VCE = 600 V, VGE = 0
———————————————————————————————————————————
Gate to emitter leak current
IGES
—
—
±1
µA VGE = ±20 V, VCE = 0
———————————————————————————————————————————
Gate to emitter cutoff current
VGE(off)
3.0
—
5.0
V IC = 1 mA, VCE = 10 V
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter saturation VCE(sat)1 —
voltage
2.0
—
V IC = 15 A, VGE = 15 V
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter saturation VCE(sat)2 —
voltage
2.6
3.3** V IC = 30 A, VGE = 15 V
———————————————————————————————————————————
Input capacitance
Cies
—
2600 —
pF VCE = 10 V, VGE = 0,
f = 1 MHz
———————————————————————————————————————————
Switching time
tr
—
160
—
ns IC = 30 A,
————————————————
ton
—
300
—
————————————————
RL = 10 Ω,
tf
—
300
600
————————————————
VGE = ±15 V
toff
—
600
1200
Rg = 50 Ω
———————————————————————————————————————————
**VCE(sat)2 is specified at the correlated test condition (IC=20A)
2