1N5062(2005) 查看數據表（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
零件编号
产品描述 (功能)
比赛名单
1N5062 Datasheet PDF : 2 Pages
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1N5059 ... 1N5062
1N5059 ... 1N5062
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2005-09-20
Nominal current
Nennstrom
Ø 3±0.05
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 0.8±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
2A
200...800 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
Maximum ratings
Type
Typ
1N5059
1N5060
1N5061
1N5062
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
200
400
600
800
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
200
400
600
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i2t
Tj
TS
2 A 1)
10 A 1)
50/55 A
12.5 A2s
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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