SFH303-4 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies

零件编号

产品描述 (功能)

比赛名单

SFH303-4

Silicon NPN Phototransistor

Infineon Technologies 

SFH 303

SFH 303 FA

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Description

Kapazität

Capacitance

VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 10 V, E = 0

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

SFH 303 SFH 303 FA

CCE

10

10

pF

CCB

15

15

pF

CEB

21

21

pF

ICEO

2 (≤ 50)

2 (≤ 50)

nA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished

by arabian figures.

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

-2

-3

-4

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

IPCE

1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 ≥ 2.5

mA

SFH 303:

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard

IPCE

5.2

8.4

13.1

mA

light A, VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

tr, tf

11

13

15

µs

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung

VCEsat

150

150

150

mV

Collector-emitter saturation voltage

IC

=

I 1)

PCEmin

×

0.3

Ee = 0.5 mW/cm2

Stromverstärkung

Current gain

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

IPCE

330

530

830

IPCB

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Semiconductor Group

4

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