SFH 530
• Das Temperaturverhalten zeigt großen Ein-
fluß auf das Ausgangssignal des Sensors.
Der ASIC ist so ausgelegt, daß er bei Raum-
temperatur 0 … – 1 mV Offset und einen ne-
gativen Temperaturkoeffizienten aufweist.
Auch auftretende Leckströme würden das
Nutzsignal nur verringern (der Leckstrom ist
stets subtraktiv bezüglich des Ausgangssig-
nals).
• The temperature behavior shows the marked
effect on the sensor’s output signal. The
ASIC is so designed that it exhibits a 0 to
– 1 mV offset and a negative temperature
coefficient at room temperature. Even any
leakage currents present would only reduce
the wanted signal (the leakage current is al-
ways subtractive with respect to the output
signal).
Semiconductor Group
6
1998-08-27