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30JL2C41 数据手册 ( 数据表 )

生产厂家

零件编号

产品描述 (功能)

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Toshiba

30JL2C41

TOSHIBA HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) SILICON EPITAXIAL TYPE

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Match & Start : 30JL2C41

Toshiba

30J324

Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125

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Ohmite Mfg. Co.

30J82R

High energy Wirewound

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Toshiba

30J122

Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125

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Toshiba

30J311

Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125

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Toshiba

30J341

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

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Toshiba

30J101

Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125

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Ohmite Mfg. Co.

30J27R

High energy Wirewound

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Ohmite Mfg. Co.

30J6R8

High energy Wirewound

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Toshiba

30J126

Discrete IGBT - 30G124 ~ 30F125

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Ohmite Mfg. Co.

30J33R

High energy Wirewound

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